首创双层晶体管：索尼介绍全新的堆叠式CMOS图像传感器技术

　　原标题：首创双层晶体管：索尼介绍全新的堆叠式CMOS图像传感器技术

 

　　索尼半导体解决方案公司，已经成功开发出了全球 采用双层晶体管像素技术的堆叠式 CMOS 图像传感器。据悉，传统方案需要将光电二极管和像素晶体管置于同一基板，而索尼新技术将两者分离放置在了不同的基板层上。得益于几乎增强了一倍的饱和信号电平，以及动态范围的提升 / 噪声的下降，新方案显著可提升成像性能。

 

　　在像素芯片内，负责光电信号转换的二极管、和控制信号的像素晶体管位于同一层。而在传统堆叠式 CMOS 图像传感器里，光电二极管和像素晶体管被安排在了同一基板上。

 

　　在同等或更小的像素尺寸下，新技术的像素结构（位于信号处理电路的逻辑芯片之上）都能保持或改善现有特性。

 

　　此外允许厂商对光电二极管和像素晶体管这两层架构分别优化，从而使饱和信号电平相较于传统图像传感器增加了大约一倍、动态范围也有进一步的提升。

 

　　增加的饱和信号电平，在实现宽动态范围的高品质图像方面发挥着重要的作用。

 

　　传输门（TRG）之外的像素晶体管 —— 包括复位（RST）、选择（SEL）和放大器（AMP）晶体管 —— 则被安排在了无光电的二极管层。

 

　　得益于放大器晶体管的尺寸增加，索尼还成功地大幅降低了夜间和其它较暗场景下容易产生的噪声，同时防止在敏感对比强烈的情况下过曝或曝光不足。

 

　　最后，索尼将把更高成像质量的双层晶体管像素技术推向诸多领域，比如智能手机上的移动影像传感器。